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當(dāng)前位置：首頁(yè) / 產(chǎn)品中心 / 其他專(zhuān)用儀器 / 其他 / HAD/GVZ-3靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀型號(hào):HAD/GVZ-3主要參數(shù)：HAD/GVZ-3型為雙層，同步探針，內(nèi)置四種電板（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機(jī)機(jī)翼電場(chǎng)）。
產(chǎn)品分類(lèi)
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| 品牌 | TESTO/德國(guó)德圖 | 產(chǎn)地類(lèi)別 | 國(guó)產(chǎn) |
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靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀型號(hào):HAD/GVZ-3
靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀主要參數(shù)：
1.HAD/GVZ-3型為雙層，同步探針，內(nèi)置四種電板（同心圓、平行導(dǎo)線、聚焦、劈尖形或飛機(jī)機(jī)翼電場(chǎng)）。
2.規(guī)格為410mm*240mm,100mm,K4-2導(dǎo)線。
3.微晶導(dǎo)電層的均勻性，實(shí)驗(yàn)值誤差為小于2%。
4.電源輸出范圍（直）為7.00v—13.00V，分辨率為0.01V。
5.采用多圈電位器調(diào)節(jié)電壓，調(diào)節(jié)細(xì)度可達(dá)0.01V。
四種電（配數(shù)碼管電源3位半）
（同心圓R為7cm，r為1cm, 其他電距離均為10cm）
1． 靜電場(chǎng)描繪實(shí)驗(yàn)儀/靜電場(chǎng)描繪試驗(yàn)儀/導(dǎo)電微晶靜電場(chǎng)描繪儀儀器簡(jiǎn)介
本儀器采用各向均勻?qū)щ姷奈⒕?dǎo)電板,在其上面安置些不同的金屬電。當(dāng)有直電經(jīng)兩個(gè)電在導(dǎo)電板上通過(guò)時(shí)，由于微晶導(dǎo)電板相對(duì)于金屬導(dǎo)體電導(dǎo)率低得多，故在兩個(gè)電間沿電線會(huì)存在不同的電勢(shì)，這種不同的電勢(shì)可用數(shù)字電壓表直接測(cè)出來(lái)。分析各測(cè)量點(diǎn)電勢(shì)的變化規(guī)律，就可間接地得知相似的靜電場(chǎng)中電勢(shì)分布規(guī)律。
2．使用方法
（1）接線：
靜電場(chǎng)用穩(wěn)壓電源輸出+（紅）接線柱用紅色電線連接描繪架（紅）、-（黑）接線柱用黑色電線連接描繪架（黑）接線柱。用穩(wěn)壓電源探針輸入+（紅色）接線柱用紅色電線連接探針架連接線柱。將探針架好，并使探針下探頭置于導(dǎo)電微晶電上，啟動(dòng)開(kāi)關(guān)，校正，后測(cè)量。
（2）測(cè)量：
開(kāi)啟測(cè)量開(kāi)關(guān)，如數(shù)字顯字為0 V，則移動(dòng)探針架至另電上，數(shù)字顯10 V，般常用10 V，便于運(yùn)算。然后縱橫移動(dòng)探針架，則電源電壓表頭顯示讀數(shù)隨著運(yùn)動(dòng)而變化。如要測(cè)0 V～10 V間的何條等勢(shì)(位)線，般可選0 V～10 V間某電壓數(shù)據(jù)相同的8～10個(gè)點(diǎn)，再將這些點(diǎn)連成光滑的曲線即可得到此等勢(shì)(位)線。
（3）記錄：
實(shí)驗(yàn)報(bào)告都需要記錄，以備學(xué)生計(jì)算或驗(yàn)證，對(duì)模擬法作深刻研究，則需在描繪架上鋪平白紙，用橡膠磁條吸住，當(dāng)表頭顯示讀數(shù)認(rèn)為需要記錄時(shí)，輕輕按下，即能清晰記下小點(diǎn)，般所需記錄電壓請(qǐng)參閱講義或由課教師定奪，為實(shí)驗(yàn)清晰快捷，每等位線8～10點(diǎn)，然后連接即可。
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2019-10-29
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